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IPP072N10N3GXKSA1  与  STP110N8F6  区别

型号 IPP072N10N3GXKSA1 STP110N8F6
唯样编号 A-IPP072N10N3GXKSA1 A3-STP110N8F6
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@55A,10V
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4910pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 110A
系列 - STripFET™ F6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9130pF @ 40V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.2 毫欧 @ 80A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 173,300
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP072N10N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 173,300 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥4.037 

阶梯数 价格
20: ¥4.037
100: ¥3.234
1,000: ¥2.992
2,314 对比
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TO-220

暂无价格 1,000 对比
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TO-220

暂无价格 0 对比
PSMN7R0-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100PS_SOT78

¥13.3875 

阶梯数 价格
20: ¥13.3875
50: ¥10.9734
0 对比

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