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IPP048N04NGXKSA1  与  RX1G08CGNC10  区别

型号 IPP048N04NGXKSA1 RX1G08CGNC10
唯样编号 A-IPP048N04NGXKSA1 A33-RX1G08CGNC10
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 79W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.9mΩ@40A,4.5V
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 78W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 200uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150℃
连续漏极电流Id - 80A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.8 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 593
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥4.7338
50+ :  ¥4.6475
100+ :  ¥4.5517
500+ :  ¥4.5325
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP048N04NGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP048N04N G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
RX1G08CGNC10 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220AB

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.6475
100: ¥4.5517
500: ¥4.5325
593 对比
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