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IPP048N04NGXKSA1  与  AUIRF1404  区别

型号 IPP048N04NGXKSA1 AUIRF1404
唯样编号 A-IPP048N04NGXKSA1 A-AUIRF1404
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404, 202 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 79W(Tc) -
宽度 - 4.82mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V -
封装/外壳 TO-220-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 202A
长度 - 10.66mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.8 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5669pF @ 25V
高度 - 16.51mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 46 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 333W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 200uA -
系列 - HEXFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 17 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 196nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP048N04NGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP048N04N G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
RX1G08CGNC10 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220AB

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.6475
100: ¥4.5517
500: ¥4.5325
593 对比
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