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IPD70R900P7SAUMA1  与  IPD65R1K0CEAUMA1  区别

型号 IPD70R900P7SAUMA1 IPD65R1K0CEAUMA1
唯样编号 A-IPD70R900P7SAUMA1 A-IPD65R1K0CEAUMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3 MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 30.5W(Tc) 68W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 211pF @ 400V 328pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 60uA 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 10V 15.3nC @ 10V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 1.1A,10V 1 欧姆 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) ±16V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc) 7.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 700V 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD70R900P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R900P7S_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOD950A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 700V 20V 5A 56.5W 950mΩ@10V

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
2,540 对比
IPD65R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6ATMA1_±20V 37W(Tc) 950mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 4.5A

暂无价格 2,500 对比
IPD65R1K0CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R1K0CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD65R950C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD70R950CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R950CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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