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IPD60R3K3C6ATMA1  与  R6002ENDTL  区别

型号 IPD60R3K3C6ATMA1 R6002ENDTL
唯样编号 A-IPD60R3K3C6ATMA1 A33-R6002ENDTL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 18.1W(Tc) 20W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 93pF @ 100V 65pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 CPT3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 40uA 4V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.3 欧姆 @ 500mA,10V 3.4 欧姆 @ 500mA,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.7A(Tc) 1.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 600V 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 6.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 46
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R3K3C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
R6002ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

暂无价格 46 对比
R6002ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

暂无价格 0 对比

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