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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 65pF @ 25V | |
| 封装/外壳 | CPT3 | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.7A(Tc) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | |
| 功率耗散(最大值) | 20W(Tc) | |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 6.5nC @ 10V | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 3.4 欧姆 @ 500mA,10V |
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低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
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