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IPD60N10S4L12ATMA1  与  AUIRLR3110Z  区别

型号 IPD60N10S4L12ATMA1 AUIRLR3110Z
唯样编号 A-IPD60N10S4L12ATMA1 A-AUIRLR3110Z
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16mΩ
Qg-栅极电荷 - 34nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3170pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 16V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 63A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 60A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3980pF @ 25V
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 140W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 46uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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