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IPD60N10S4L12ATMA1  与  AOD4180  区别

型号 IPD60N10S4L12ATMA1 AOD4180
唯样编号 A-IPD60N10S4L12ATMA1 A-AOD4180
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 54W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3170pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO252
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 46uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 54A
系列 - AOD
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2410pF @ 40V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 60A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 7V,10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60N10S4L-12_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD4180 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO252

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