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IPD50P04P4L11ATMA1  与  TJ40S04M3L(T6L1,NQ  区别

型号 IPD50P04P4L11ATMA1 TJ40S04M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-IPD50P04P4L11ATMA1 A-TJ40S04M3L(T6L1,NQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 58W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 40 V
Pd-功率耗散(Max) - 68W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.1 毫欧 @ 20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V 4140 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 83 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK+
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 85uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 40A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10.6 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±16V +10V,-20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 6V,10V
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50P04P4L-11_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

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DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比

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