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IPD50P04P4L11ATMA1  与  DMP4011SK3-13  区别

型号 IPD50P04P4L11ATMA1 DMP4011SK3-13
唯样编号 A-IPD50P04P4L11ATMA1 A-DMP4011SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 58W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta),4.2W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11mΩ@9.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 25V 2747 pF @ 20 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 52 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252,(D-Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 85uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 14A(Ta),74A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10.6 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50P04P4L-11_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

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DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比

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