首页 > 商品目录 > > > > IPD50N04S4L08ATMA1代替型号比较

IPD50N04S4L08ATMA1  与  DMTH4007LK3Q-13  区别

型号 IPD50N04S4L08ATMA1 DMTH4007LK3Q-13
唯样编号 A-IPD50N04S4L08ATMA1 A-DMTH4007LK3Q-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 46W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 2.6W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 7.3mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2340pF @ 25V 1895 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 29.1 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 17uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 16.8A(Ta),70A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.3 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) +20V,-16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4L-08_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD4184A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
100: ¥1.364
1,250: ¥1.166
2,500: ¥0.9845
13,476 对比
AOD4184A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD242 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
BUK9209-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9209-40B_SOT428

¥15.7021 

阶梯数 价格
400: ¥15.7021
1,000: ¥10.829
1,250: ¥9.1771
2,500: ¥7.5222
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售