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IPD50N04S4L08ATMA1  与  BUK9209-40B,118  区别

型号 IPD50N04S4L08ATMA1 BUK9209-40B,118
唯样编号 A-IPD50N04S4L08ATMA1 A-BUK9209-40B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 46W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 167W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2340pF @ 25V -
输出电容 - 481pF
栅极电压Vgs - 1.5V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 SOT428
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 17uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 185℃
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 2714pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.3 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) +20V,-16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V,9mΩ@5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
400+ :  ¥15.7021
1,000+ :  ¥10.829
1,250+ :  ¥9.1771
2,500+ :  ¥7.5222
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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30: ¥1.782
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400: ¥15.7021
1,000: ¥10.829
1,250: ¥9.1771
2,500: ¥7.5222
0 对比

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