首页 > 商品目录 > > > > IPD50N04S308ATMA1代替型号比较

IPD50N04S308ATMA1  与  AOD4184A  区别

型号 IPD50N04S308ATMA1 AOD4184A
唯样编号 A-IPD50N04S308ATMA1 A-AOD4184A
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 135
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 9.5mΩ
Qgd(nC) - 6
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2350pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 6
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 50A
Ciss(pF) - 1500
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.5 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 29
Td(off)(ns) - 30
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qrr(nC) - 26
VGS(th) - 2.6
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 40uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
Coss(pF) - 215
Qg*(nC) - 14
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50N04S308ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S3-08_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD4184A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
100: ¥1.364
1,250: ¥1.166
2,500: ¥0.9845
10,724 对比
AOD4184A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售