首页 > 商品目录 > > > > IPD50N03S207ATMA1代替型号比较

IPD50N03S207ATMA1  与  IRFR3711TRLPBF  区别

型号 IPD50N03S207ATMA1 IRFR3711TRLPBF
唯样编号 A-IPD50N03S207ATMA1 A-IRFR3711TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),120W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 85uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.3 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2980pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50N03S207ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2-07_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 对比
IRFR3709ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IRLR3114ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR3711TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售