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IPD50N03S207ATMA1  与  IRFR3709ZTRLPBF  区别

型号 IPD50N03S207ATMA1 IRFR3709ZTRLPBF
唯样编号 A-IPD50N03S207ATMA1 A-IRFR3709ZTRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@15A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 86A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.3 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2330pF
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 79W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 85uA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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IPD50N03S2-07_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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阶梯数 价格
1: ¥3.0612
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1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
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