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IPD30N10S3L34ATMA1  与  IRLR2905TRPBF  区别

型号 IPD30N10S3L34ATMA1 IRLR2905TRPBF
唯样编号 A-IPD30N10S3L34ATMA1 A32-IRLR2905TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Single N-Channel 55 V 40 mOhm 30 nC 110 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 57W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@25A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1976pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±16V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 42A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 31 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 29uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 5V
库存与单价
库存 0 13,000
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.1411
100+ :  ¥2.02
500+ :  ¥1.9056
1,000+ :  ¥1.7978
2,000+ :  ¥1.696
8,000+ :  ¥1.6453
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¥2.1411 

阶梯数 价格
1: ¥2.1411
100: ¥2.02
500: ¥1.9056
1,000: ¥1.7978
2,000: ¥1.696
8,000: ¥1.6453
13,000 对比
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¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,000: ¥2.211
2,000: ¥2.09
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¥3.311 

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20: ¥3.311
100: ¥2.552
742 对比

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