| 制造商编号 | IRFR540ZTRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRFR540ZTRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
FET类型：N-Channel 漏源极电压Vds：100V 连续漏极电流Id：35A(Tc) 栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：91W(Tc)
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 35A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 50µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 59nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1690pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 91W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28.5mΩ@21A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | DPAK |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PXN012-60QLJ | 21,000 |
| CQD50N06 | 20,000 |
| PMLL4148L,115 | 20,000 |
| 100N03A | 12,500 |
| LN2308LT1G | 12,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR540ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD2910 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
￥2.321
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263 | 对比 | ||||||||||
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AOD2916 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
￥2.354
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62 | 对比 | ||||||||||
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BUK7227-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7227-100B_SOT428 |
￥8.1273
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0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN025-100D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN025-100D_SOT428 |
￥23.0698
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0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR540ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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