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IPB80N03S4L03ATMA1  与  PSMN3R4-30BL,118  区别

型号 IPB80N03S4L03ATMA1 PSMN3R4-30BL,118
唯样编号 A-IPB80N03S4L03ATMA1 A-PSMN3R4-30BL,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 114W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V -
输出电容 - 822pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 45uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 100A
输入电容 - 3907pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@10V,3.8mΩ@4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥9.0105
400+ :  ¥6.9849
800+ :  ¥5.5632
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
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