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IPB054N08N3GATMA1  与  STB120NF10T4  区别

型号 IPB054N08N3GATMA1 STB120NF10T4
唯样编号 A-IPB054N08N3GATMA1 A36-STB120NF10T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10.5m Ohms@60A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 312W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 40V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 110A
系列 - STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5200pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 80A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 233nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 80V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB054N08N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N08N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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0 对比

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