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IPB049NE7N3GATMA1  与  IRFS3207TRLPBF  区别

型号 IPB049NE7N3GATMA1 IRFS3207TRLPBF
唯样编号 A-IPB049NE7N3GATMA1 A-IRFS3207TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@75A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 37.5V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 180A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.9 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7600pF @ 50V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 300W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 91uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7600pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 75V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB049NE7N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB049NE7N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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BUK763R9-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R9-60E_SOT404

¥15.7496 

阶梯数 价格
10: ¥15.7496
100: ¥11.6664
400: ¥9.8868
800: ¥9.0705
100 对比
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PSMN4R4-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R4-80BS_SOT404

¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
400: ¥11.2481
800: ¥10.3194
0 对比
IRFS3207TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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