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IPB049NE7N3GATMA1  与  BUK763R9-60E,118  区别

型号 IPB049NE7N3GATMA1 BUK763R9-60E,118
唯样编号 A-IPB049NE7N3GATMA1 A-BUK763R9-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 263W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 37.5V -
输出电容 - 737pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 91uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 100A
输入电容 - 5609pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.9 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥15.7496
100+ :  ¥11.6664
400+ :  ¥9.8868
800+ :  ¥9.0705
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥15.7496 

阶梯数 价格
10: ¥15.7496
100: ¥11.6664
400: ¥9.8868
800: ¥9.0705
100 对比
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¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
400: ¥11.2481
800: ¥10.3194
0 对比
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