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IPB020NE7N3GATMA1  与  IRFS7730TRLPBF  区别

型号 IPB020NE7N3GATMA1 IRFS7730TRLPBF
唯样编号 A-IPB020NE7N3GATMA1 A-IRFS7730TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK IRFS7730 Series 75 V 195 A 2.6 mOhm N-Channel HEXFET Power MOSFET -D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.6mΩ@100A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 14400pF @ 37.5V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263AB
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 206nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 246A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 13660pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 375W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 273uA -
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 13660pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 407nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 75V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 407nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB020NE7N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB020NE7N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 30,000 对比
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
0 对比
BUK962R8-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R8-60E_SOT404

¥15.7855 

阶梯数 价格
210: ¥15.7855
400: ¥13.3775
800: ¥12.2729
0 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRFS7730TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 0 对比

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