首页 > 商品目录 > > > > IPB020NE7N3GATMA1代替型号比较

IPB020NE7N3GATMA1  与  BUK962R8-60E,118  区别

型号 IPB020NE7N3GATMA1 BUK962R8-60E,118
唯样编号 A-IPB020NE7N3GATMA1 A-BUK962R8-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 324W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 14400pF @ 37.5V -
输出电容 - 925pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 273uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 206nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 120A
输入电容 - 11701pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2.8mΩ@5V,2.5mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥15.7855
400+ :  ¥13.3775
800+ :  ¥12.2729
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB020NE7N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB020NE7N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 30,000 对比
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
0 对比
BUK962R8-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R8-60E_SOT404

¥15.7855 

阶梯数 价格
210: ¥15.7855
400: ¥13.3775
800: ¥12.2729
0 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRFS7730TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售