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FDC640P  与  AO6409  区别

型号 FDC640P AO6409
唯样编号 A-FDC640P A36-AO6409
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 0.053 Ohm 2.5V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 80
功率 1.6W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 53 毫欧 @ 4.5A,4.5V 41mΩ@4.5V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@1.8V - 65mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 53mΩ
Qgd(nC) - 2.2
栅极电压Vgs ±12V 8V
Td(on)(ns) - 13
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSOP-6
连续漏极电流Id 4.5A -5.5A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 751
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 26
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 2.1W
Qrr(nC) - 51
VGS(th) - -0.9
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 115
Qg*(nC) - 9.3
库存与单价
库存 0 219
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.046
100+ :  ¥1.639
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC640P ON Semiconductor 通用MOSFET

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