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FDC640P  与  TPC6107(TE85L,F,M)  区别

型号 FDC640P TPC6107(TE85L,F,M)
唯样编号 A-FDC640P A-TPC6107(TE85L,F,M)
制造商 ON Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 20 V 0.053 Ohm 2.5V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6 MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.6W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 53 毫欧 @ 4.5A,4.5V -
产品状态 - 停产
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 680 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1.2V @ 200uA
栅极电压Vgs ±12V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.8 nC @ 5 V
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 VS-6(2.9x2.8)
连续漏极电流Id 4.5A 4.5A(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V 20 V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 700mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 55 毫欧 @ 2.2A,4.5V
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC640P ON Semiconductor 通用MOSFET

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