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FCD3400N80Z  与  IPD80R2K8CEBTMA1  区别

型号 FCD3400N80Z IPD80R2K8CEBTMA1
唯样编号 A-FCD3400N80Z A-IPD80R2K8CEBTMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 42W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 120uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.8 欧姆 @ 1.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD3400N80Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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