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DMTH6005LCT  与  IRF3808PBF  区别

型号 DMTH6005LCT IRF3808PBF
唯样编号 A-DMTH6005LCT A-IRF3808PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ
Qg-栅极电荷 - 150nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2962 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 140A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),125W(Tc) 330W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6mΩ@20A,10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6005LCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥6.71 

阶梯数 价格
8: ¥6.71
100: ¥5.368
138 对比
STP110N7F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 2 对比
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暂无价格 0 对比

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