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DMTH6005LCT  与  STP110N7F6  区别

型号 DMTH6005LCT STP110N7F6
唯样编号 A-DMTH6005LCT A36-STP110N7F6
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -
连续漏极电流Id 100A(Tc) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),125W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2962 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47.1 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 2
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6005LCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥6.71 

阶梯数 价格
8: ¥6.71
100: ¥5.368
138 对比
STP110N7F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 2 对比
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
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TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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