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DMTH6004SK3-13  与  IPD053N06N  区别

型号 DMTH6004SK3-13 IPD053N06N
唯样编号 A-DMTH6004SK3-13 A-IPD053N06N
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) 83W
Qg-栅极电荷 - 32nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@90A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 38S
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 -
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A(Tc) 45A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS5
驱动电压 10V -
长度 - 6.5mm
下降时间 - 7ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD053N06NATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06N_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK4R4P06PL,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

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DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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IPD053N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06NATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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