首页 > 商品目录 > > > > DMTH6004LPSQ-13代替型号比较

DMTH6004LPSQ-13  与  BSC031N06NS3GATMA1  区别

型号 DMTH6004LPSQ-13 BSC031N06NS3GATMA1
唯样编号 A-DMTH6004LPSQ-13 A-BSC031N06NS3GATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.6W(Ta), 138W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),139W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1 毫欧 @ 25A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 11000pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 100A(Ta) -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 93uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.1 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4515pF @ 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47.4nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC036NE7NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC031N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC031N06NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC031N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC031N06NS3GATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
BSC036NE7NS3 G Infineon 功率MOSFET

BSC036NE7NS3GATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售