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DMTH4004SCTB-13  与  IRL1404ZSTRLPBF  区别

型号 DMTH4004SCTB-13 IRL1404ZSTRLPBF
唯样编号 A-DMTH4004SCTB-13 A-IRL1404ZSTRLPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R Single N-Channel 40 V 230 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.1mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 4.7W(Ta),136W(Tc) 230W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4305 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 68.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 200A
系列 - HEXFET®
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5080pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5080pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4004SCTB-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
IRL1404ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

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IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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IRF1404ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

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