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DMTH4004SCTB-13  与  IPB100N04S2L03ATMA1  区别

型号 DMTH4004SCTB-13 IPB100N04S2L03ATMA1
唯样编号 A-DMTH4004SCTB-13 A-IPB100N04S2L03ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 4.7W(Ta),136W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4305 pF @ 25 V 6000pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 68.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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