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DMTH3004LK3-13  与  IPD70N03S4L-04  区别

型号 DMTH3004LK3-13 IPD70N03S4L-04
唯样编号 A-DMTH3004LK3-13 A-IPD70N03S4L-04
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.3mΩ@70A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.9W(Ta) 68W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2370 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs +20V,-16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 44 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 PG-TO252-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 21A(Ta),75A(Tc) 70A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3300pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-252

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
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