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DMTH10H010LCT  与  STP100N8F6  区别

型号 DMTH10H010LCT STP100N8F6
唯样编号 A-DMTH10H010LCT A3-STP100N8F6
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13A,10V 8mΩ
上升时间 - 46ns
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta),166W(Tc) 176W
Qg-栅极电荷 - 100nC
栅极电压Vgs ±20V 2V
典型关闭延迟时间 - 103ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 108A(Tc) 100A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - STP100N8F6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2592pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 21ns
典型接通延迟时间 - 33ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5955pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
库存与单价
库存 0 41,500
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH10H010LCT Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP100N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 41,500 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 1,000 对比
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 对比
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

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