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DMT6015LPS-13  与  RS1L120GNTB  区别

型号 DMT6015LPS-13 RS1L120GNTB
唯样编号 A-DMT6015LPS-13 A-RS1L120GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.16W(Ta) 3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 16mΩ@10A,10V 12.7mOhm@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1103 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±16V 2.7V@200uA
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18.9 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-HSOP
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id 10.6A(Ta),31A(Tc) 12A(Ta),36A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 26nC@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6015LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
RS1L120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-HSOP

¥10.8665 

阶梯数 价格
20: ¥10.8665
50: ¥6.3915
100: ¥6.0753
500: ¥5.6632
1,000: ¥5.462
2,000: ¥5.0787
2,500 对比
RS1L120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-HSOP

¥3.476 

阶梯数 价格
20: ¥3.476
100: ¥2.684
1,250: ¥2.332
2,500: ¥2.2
2,500 对比
RS1L120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-HSOP

¥10.8665 

阶梯数 价格
20: ¥10.8665
50: ¥6.3915
100: ¥6.0753
500: ¥5.6632
1,000: ¥5.462
1,280 对比
RS1L120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-HSOP

暂无价格 40 对比
RS1L120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-HSOP

暂无价格 0 对比

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