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通用MOSFET   8-HSOP

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制造商编号 RS1L120GNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-RS1L120GNTB
供货
产品周期

量产中(新设计非推荐)

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:12A(Ta),36A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:2.7V@200uA Pd-功率耗散(Max):3W(Ta) 封装/外壳:8-HSOP
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 12A(Ta),36A(Tc)
FET类型 N-Channel
Vgs(最大值) ±20V
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12.7mOhm@12A,10V
栅极电压Vgs 2.7V@200uA
栅极电荷Qg 26nC@10V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta)
封装/外壳 8-HSOP
工作温度 150℃(TJ)
漏源极电压Vds 60V
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库存 :  2,500

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20+ ¥3.476
100+ ¥2.684
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整包(请按2500的倍数下单)

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若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

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总价:

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