首页 > 商品目录 > > > DMT6010LFG-7代替型号比较

DMT6010LFG-7  与  BSZ067N06LS3GATMA1  区别

型号 DMT6010LFG-7 BSZ067N06LS3GATMA1
唯样编号 A-DMT6010LFG-7 A-BSZ067N06LS3GATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),69W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta),41W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2090 pF @ 30 V 5100pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 41.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A(Ta),30A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 35uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.7 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 14A(Ta),20A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6010LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
IRFH5007TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6444 AOS 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ067N06LS3 G_8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
BSZ100N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ100N06LS3GATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比
BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ100N06LS3 G_8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售