| 制造商编号 | BSZ100N06LS3GATMA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BSZ100N06LS3 G |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-BSZ100N06LS3GATMA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 否 |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 11A(Ta),20A(Tc) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 10 毫欧 @ 20A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 23uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 3500pF @ 30V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 45nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),50W(Tc) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ100N06LS3 G_8-PowerVDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMT6010LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥3.388
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3,925 | 对比 | ||||||||||
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DMT6010LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NVTFS5820NLWFTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NVTFS5820NLWFTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
￥11.6331
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59 | 对比 |
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