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DMT35M7LFV-13  与  IRFH8324TR2PBF  区别

型号 DMT35M7LFV-13 IRFH8324TR2PBF
唯样编号 A-DMT35M7LFV-13 A-IRFH8324TR2PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333 MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3.6W(Ta),54W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.98W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1667 pF @ 15 V 2380pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8(UX 类) 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 76A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.1 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23A(Ta),90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT35M7LFV-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8(UX类)

暂无价格 0 当前型号
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥3.0924 

阶梯数 价格
1,020: ¥3.0924
2,500: ¥2.4184
5,000: ¥1.8864
0 对比
IRFH8324TR2PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比
AON6524 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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