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DMT35M7LFV-13  与  IRFH5304TRPBF  区别

型号 DMT35M7LFV-13 IRFH5304TRPBF
唯样编号 A-DMT35M7LFV-13 A-IRFH5304TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@47A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.98W(Ta) 3.6W(Ta),46W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1667 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8(UX 类) 8-PQFN(5x6)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 76A(Tc) 22A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT35M7LFV-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8(UX类)

暂无价格 0 当前型号
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥3.0924 

阶梯数 价格
1,020: ¥3.0924
2,500: ¥2.4184
5,000: ¥1.8864
0 对比
IRFH8324TR2PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比
AON6524 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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