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DMT10H015LFG-7  与  TPN13008NH,L1Q  区别

型号 DMT10H015LFG-7 TPN13008NH,L1Q
唯样编号 A-DMT10H015LFG-7 A-TPN13008NH,L1Q
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V 80 V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),35W(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@20A,10V 13.3 毫欧 @ 9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1871 pF @ 50 V 1600 pF @ 40 V
Vgs(th) - 4V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.3 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-TSON Advance(3.1x3.1)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta),42A(Tc) 18A(Tc)
驱动电压 6V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

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