首页 > 商品目录 > > > DMT10H015LFG-7代替型号比较

DMT10H015LFG-7  与  TPH1400ANH,L1Q  区别

型号 DMT10H015LFG-7 TPH1400ANH,L1Q
唯样编号 A-DMT10H015LFG-7 A-TPH1400ANH,L1Q
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V 100 V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),35W(Tc) 1.6W(Ta),48W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@20A,10V 13.6 毫欧 @ 12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1871 pF @ 50 V 1900 pF @ 50 V
Vgs(th) - 4V @ 300uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.3 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-SOP Advance(5x5)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta),42A(Tc) 24A(Tc)
驱动电压 6V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMT10H015LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
TPH1400ANH,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-SOPAdvance(5x5)

暂无价格 0 对比
TPN13008NH,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售