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DMT10H015LCG-7  与  IRFH5110  区别

型号 DMT10H015LCG-7 IRFH5110
唯样编号 A-DMT10H015LCG-7 A-IRFH5110
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.4mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 3.6W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 15mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1871 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.3 nC @ 10 V -
Qgd - 15.0nC
封装/外壳 V-DFN3333-8 PQFN 5 x 6 B
Mounting - SMD
工作温度 -55℃~155℃(TJ) -
连续漏极电流Id 9.4A(Ta),34A(Tc) 9A
驱动电压 4.5V,10V -
Ptot max - 114.0W
QG - 48.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.55
RthJC max - 1.1K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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