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通用MOSFET   PQFN5x6B

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制造商编号 IRFH5110
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFH5110
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Rds On(Max)@Id,Vgs:12.4mΩ 漏源极电压Vds:100V 封装/外壳:PQFN 5 x 6 B FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:20V
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商品目录 通用MOSFET
Moisture Level 1 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.4mΩ
漏源极电压Vds 100V
封装/外壳 PQFN 5 x 6 B
Tj max 150.0°C
QG 48.0nC
Budgetary Price €€/1k 0.55
Ptot max 114.0W
FET类型 N-Channel
Qgd 15.0nC
栅极电压Vgs 20V
Ptot (@ TA=25°C) max 3.6W
Mounting SMD
RthJC max 1.1K/W
连续漏极电流Id 9A
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