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DMP3017SFV-7  与  RQ3E120ATTB  区别

型号 DMP3017SFV-7 RQ3E120ATTB
唯样编号 A-DMP3017SFV-7 A36-RQ3E120ATTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 2.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@-12A,-10V
上升时间 - 30ns
Qg-栅极电荷 - 62nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2246 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 41 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 HSMT
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 40A(Tc) 12A
配置 - Single
长度 - 3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 95ns
高度 - 0.85mm
漏源极电压Vds 30V 39V
Pd-功率耗散(Max) 31W(Ta) 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@11.5A,10V -
典型关闭延迟时间 - 140ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - RQ
通道数量 - 1Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3200pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 20ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3017SFV-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT 3mm

¥2.9898 

阶梯数 价格
60: ¥2.9898
100: ¥2.664
500: ¥2.664
1,000: ¥2.6544
2,000: ¥2.6448
4,000: ¥2.6256
15,830 对比
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT 3mm

暂无价格 200 对比
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT 3mm

¥5.9019 

阶梯数 价格
1: ¥5.9019
100: ¥3.1516
3,000: ¥2.2786
30 对比
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT 3mm

暂无价格 0 对比
DMP3017SFV-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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