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DMP3008SFGQ-13  与  RQ3E075ATTB  区别

型号 DMP3008SFGQ-13 RQ3E075ATTB
唯样编号 A-DMP3008SFGQ-13 A3-RQ3E075ATTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23mΩ@7.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) 15W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2230 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 HSMT
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.6A(Ta) 7.5A
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 930pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.4nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 200
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

¥6.8419 

阶梯数 价格
30: ¥6.8419
50: ¥4.0151
100: ¥3.8138
500: ¥3.5551
1,000: ¥3.4305
2,000: ¥3.191
3,000 对比
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

暂无价格 200 对比
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

¥11.1715 

阶梯数 价格
1: ¥11.1715
100: ¥6.4571
1,500: ¥4.0938
3,000: ¥2.9598
95 对比
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

暂无价格 15 对比
AON6435 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比

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