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功率MOSFET   HSMT

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制造商编号 RQ3E075ATTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-RQ3E075ATTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):15W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:23mΩ@7.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:HSMT
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 15W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@7.5A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 HSMT
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 7.5A
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库存 :  200

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