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DMP1022UFDF-7  与  SSM6J505NU,LF  区别

型号 DMP1022UFDF-7 SSM6J505NU,LF
唯样编号 A-DMP1022UFDF-7 A-SSM6J505NU,LF
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.3mΩ@4A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 12V 12 V
Pd-功率耗散(Max) 730mW(Ta) 1.25W(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 12 毫欧 @ 4A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37.6 nC @ 4.5 V
封装/外壳 UDFN 6-UDFNB(2x2)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.5A 12A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2712pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48.3nC @ 8V -
Vgs(最大值) - ±6V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 1.2V,4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP1022UFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 730mW(Ta) 15.3mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) UDFN P-Channel 12V 9.5A

暂无价格 0 当前型号
SSM6J505NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2) 150°C(TJ) 12 V 12A(Ta)

暂无价格 0 对比

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