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DMNH6042SSDQ-13  与  IRF7341TRPBF  区别

型号 DMNH6042SSDQ-13 IRF7341TRPBF
唯样编号 A-DMNH6042SSDQ-13 A-IRF7341TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@4.7A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@5.1A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 584pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 4.2nC @ 4.5V -
封装/外壳 8-SO SOIC
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16.7A(Tc) 4.7A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6042SSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥13.8916 

阶梯数 价格
1: ¥13.8916
1,000: ¥7.1125
2,500: ¥5.0499
2,500 对比
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥12.141 

阶梯数 价格
20: ¥12.141
50: ¥7.1294
100: ¥6.5065
500: ¥6.0849
1,000: ¥5.9986
2,000: ¥5.9411
2,500 对比
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

暂无价格 2,200 对比
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥12.141 

阶梯数 价格
20: ¥12.141
50: ¥7.1294
100: ¥6.5065
500: ¥6.0849
1,000: ¥5.9986
1,090 对比
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 对比

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