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DMNH4006SK3Q-13  与  IPD50N04S308ATMA1  区别

型号 DMNH4006SK3Q-13 IPD50N04S308ATMA1
唯样编号 A-DMNH4006SK3Q-13 A-IPD50N04S308ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 68W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6mΩ@86A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2280 pF @ 25 V 2350pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 51 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A(Ta),140A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 40uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.5 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH4006SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR4104TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥4.972 

阶梯数 价格
3,000: ¥4.972
6,000: ¥4.906
9,000 对比
AUIRFR4104 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD50N04S308ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S3-08_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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IRFR4104TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

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IRFR4104 Infineon  数据手册 通用MOSFET

DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

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